半导体设备覆盖了芯片制造前道工序的多个关键环节。在常压工艺（AP）方面，提供从氧化、扩散、推结到退火、合金的全套解决方案，这对于构建器件电学特性至关重要。同时，低压化学气相沉积（LPCVD）系列设备，能够在低压环境下沉积多晶硅、氮化硅等多种关键薄膜，这些薄膜是芯片结构形成的基础，直接决定了器件的最终性能和可靠性。

设备应用于光刻、刻蚀之前的晶圆制造前道工序，是芯片结构形成的基础，直接决定器件的电学性能。在芯片制造流程中，发挥着不可替代的关键作用。

1、AP (Atmospheric Pressure) 系列
氧化 (Oxide)：生长致密SiO₂薄膜，用作器件的栅氧、场氧或隔离层。
扩散 (POCL₃)：引入杂质，形成晶体管的源极、漏极和基区。
推结 (Drive-in)：使杂质深入晶圆内部，形成特定结深。
退火 (Anneal)：消除晶格损伤，激活杂质，恢复晶体结构。
合金 (Alloy)：形成金属与半导体之间的良好欧姆接触。
制碳膜 / 烧碳膜：应用于特殊器件工艺的辅助步骤。

2、LPCVD (Low Pressure CVD) 系列
可在低压环境下高效沉积多晶硅 (POLY/DPOLY)、氮化硅 (Nitride)、正硅酸乙酯 (TEOS)、高密度氧化物 (HTO)及氮氧化硅 (SiOxNy)等多种关键薄膜，构建器件基础结构。

3、特色设备（可定制）
除了标准工艺，还提供一系列特色设备来满足客户的特殊需求。
高真空合金炉用于满足高纯度要求，常压/低压兼容炉则为客户提供了极大的灵活性。这些设备技术含量高，价值巨大，是保障客户产线良率和性能的关键投资。

技术参数：
略