半导体分立器件测试系统STS8203S可用于各类二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管及多阵列器件等各类分立器件的功能和交参数测试。
功率测试电流达±200A，功率源电压±40V，高压可达±2000V，覆盖了绝大多数分立器件品种的测试需求。
该系统测试速度快、精度高、性能稳定、测试安全、适应性好，适合科研院所、电子设备整机生产厂、半导体元器件生产线、检测认证中心等单位使用。
产品为桌面放置的台式结构，由测试主机、测试头和程控电脑三大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过可选的Prober 接口、Handler 接口连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
半导体分立器件测试系统的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“USB测试盒”让操作人员在测试盒上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成分立器件测试。

一、应用场景
测试分析：功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为分立器件测试
失效分析：对失效器件进行测试分析，查找失效机理。便于对电子整机的整体设计和使用提出改善方案
选型配对：在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对
来料检验：研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率
量产测试：可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试
替代进口：STS8203S分立器件参数测试仪系统可替代同级别进口产品

二、技术参数
1. 可测试二极管、三极管、场效应管、达林顿管、可控硅、二三极管阵列等半导体分立器件
2. 测试原理符合国标、军标和相关行业标准。
3.功率参数严格按照300us测试方法，确保器件温升影响控制到最小。
4.电压电流源最大2000V/200A。
5.16位驱动与测量分辨率，经过系统精密校准，驱动与测试精度更高。电压的驱动与测量精度达到了0.05%(Fs)，电流的驱动与测量精度达到了0.1%(Fs)。
6.测试头内独立精密测量单元用于MOSFET Rds(on)等微弱电压的精确稳定测量。
7.满足MOSFET GFS参数的测试，功率源输出在40A条件下可达50V。
8. 使用操作简便、测试数据准确、稳定。软硬件钳位保护，测试更安全可靠。
9. 采用菜单填表式的编程模式，提供各类型典型器件测试模板。
10. 提供丰富的测试适配器及通用的多阵列测试适配板，支持多达8个单元的二极管、三极管阵列的测试。
11. 二极管自动识别极性功能。
12. 采用四线开尔文插座测试贴片器件，确保精度和稳定性满足测试要求。
13. Vce源/表驱动/测量：
 电压量程：±40V，±20V，±10V，±5V，±2V，±1V
 分辨率：16Bit
 电压精度：±1V量程（±0.1%Fs）、其它量程（±0.05%Fs）
 电流量程：±200A，±40A，±4A，±400mA，±40mA，±4mA，±400uA，±40uA，±4uA
 分辨率：16Bit
 电流精度：±200A（±1%Fs），±40A（±1%Fs）、±4A（±0.5%Fs）、±4uA（±0.5%Fs）、其它量程（±0.1%Fs）
14. Vb源/表驱动/测量：
 电压量程：±40V，±20V，±10V，±5V，±2V，±1V
 分辨率：16Bit
 电压精度：±1V量程（±0.1%Fs）、其它量程（±0.05%Fs）
 电流量程：±40A，±4A，±400mA，±40mA，±4mA，±400uA，±40uA，±4uA
 分辨率：16Bit
 电流精度：±40A（±1%Fs）、±4A（±0.5%Fs）、±4uA（±0.5%Fs）、其它量程（±0.1%Fs）
15. Vg源/表驱动/测量：
 电压量程：±40V
 分辨率：16Bit
 电压精度：±0.05%Fs
16. 高压源/表驱动/测量：
 电压量程：±2000V，±1000V，±500V，±200V，±100V
 分辨率：16Bit
 电压精度：±0.05%Fs
 电流量程：±10mA，±1mA, ±100uA, ±10uA
 电流精度：±0.1%Fs
17. 前置电流表测量：
 电流量程：±10mA，±1mA，±100uA，±10uA，±1uA，±100nA
 分辨率：16Bit
 电流精度：±100nA量程（±1%Fs）、±1uA量产（±0.5%Fs）、其它量程（±0.1%Fs）
18. 前置电压表测量：
 电压量程：±10V，±1V，±100mV
 分辨率：16Bit
 电压精度：±10V（±0.05%Fs）、±1V（±0.1%Fs）、±100mV（±0.5%Fs）