ARM和代工芯片制造商GlobalFoundries宣布已经签署了一份长期协议，旨在为采用GlobalFoundries 20nm与FinFET工艺的ARM处理器设计提供优化的系统级芯片(SoC)解决方案。此次合作将有助于将包括智能手机、平板电脑和超薄笔记本在内的一系列移动应用的系统性能和电源效率提升到一个新的水平。

该协议的预期成果之一，是从20nm平面工艺到FinFET器件量产的“快速转型”。两家公司没有透露GlobalFoundries引入20nm LPM工艺和FinFET处理器商业化生产的时程。

在几周前，ARM与台积电签署了一项类似的关于20nm节点FinFET工艺64位ARM处理器内核的协议

与Globalfoundries的协议涉及20nm LPM制造工艺以及FinFET工艺，对ARM Mali图形处理器的覆盖也拓展了两家公司之前的协议。

ARM已同意针对GlobalFoundries工艺建立一个Artisan物理IP平台，包括标准单元库、内存编译器和处理器优化包（POPs）。GlobalFoundries将为下一代高能效ARM Cortex处理器和Mali GPU技术开发优化实施和基准分析，加快客户使用相应技术进行SoC设计的速度。GlobalFoundries 20nm LPM、FinFET工艺、POP IP封装的ARM Artisan物理IP完整平台为SoC设计者提供一个基本建造架构。该平台基于现有的Artisan物理IP平台，适用于GlobalFoundries的多个工艺，包括65纳米、55纳米、28纳米、以及目前可供授权的28纳米SLP Cortex-A9 POP技术。

在共同优化ARM Cortex-A系列处理器方面，ARM和GlobalFoundries已经积累了多年合作经验。其中不仅包括28nm工艺上已经在性能与功效方面所展现的多项优势，也包括美国纽约州马尔他镇的晶圆厂中正在生产的20nm测试芯片。通过推动制造IP平台的创新，新的协议进一步延续了此前的合作，从而令客户能够在20nm工艺平台上进行设计，有助于客户迅速转移至3D FinFET晶体管技术。对于ARM下一代移动CPU和GPU的用户而言，这项共同开发则可加快SoC解决方案的上市时间。

“这次的初步合作促进了ARM和GlobalFoundries的技术在针对未来多个重要市场的SoC中的快速采用。同时，为手机、平板电脑和计算应用提供设计服务的客户也将由于此次合作中的高能效ARM处理器和图形处理器而获益匪浅。”ARM执行副总裁兼处理器和物理IP部门总经理Simon Segars在一份声明中说，“通过在下一代 20nm LPM与FinFET工艺方面的积极合作，我们能够确保为双方的共同客户提供一系列的实施选项，将先进半导体装置的发展往前推进两个世代。”

ARM表示，设计中的GlobalFoundries 20nm LPM工艺将满足批量市场广泛的功耗及性能要求。

ARM POP技术提供市场领先的性能、功耗和面积，加快了ARM Cortex-A系列 CPU 的内核强化。POP IP封装由三部分组成，它们是ARM内核优化实施的关键。首先，它涵盖了Artisan物理IP标准单元、逻辑电路以及专门针对特定ARM处理器和晶圆厂技术进行调整的内存缓存实例。其次，还同时提供全面的基准测试报告，用于记录ARM在涵盖了一系列配置和设计目标的内核实施中所需要的精确条件和最终结果。最后，该封装还包括了平面布局、脚本、设计工具和POP实施指南在内的实施细则，具体说明了可供最终客户以极低的风险快速实现相似结果的实施方法。

GlobalFoundries的20nm LPM技术是一个全面的经济高效型平台，可提供最高40%的性能提升和两倍于28纳米芯片的门密度。由于20nm LPM技术可以实现一系列晶体管功能，它将用于满足大容量细分市场中大范围的功耗和性能点。通过将晶体管和金属间距完全按比例缩小，所得到的20nm LPM器件将在成本和面积方面具有很大的竞争优势，符合下一代设备的需求。

此次合作还拓展到了GlobalFoundries基于FinFET的工艺。通过早期的预先准备，双方将共同优化物理IP和工艺，以确保从20nm LPM的快速迁移。因此，此次合作将以前所未有的速度和更低的风险提供一系列实施方案。

GlobalFoundries全球销售与市场的高级副总裁Mike Noonen表示：“ARM技术已整合至全球许多产量最高的产品之中。相信在今后数年内，对于GlobalFoundries客户来说，其重要性都只会不断提高。藉由我们的实施知识并将其应用于下一代高能效ARM处理器和图形处理器，我们相信双方可以携手为彼此的共同客户提供显著的差异化优势，继续引领下下两代产品的创新。”