嵌入式系统中常用的闪存有两类：NORFLASH和NANDFLASH。它们因内部结构与“或非”及“与非”门相似而得名。它们不仅在内部结构上不同，外部特性和应用也不一样。NORFLASH的容量通常不大，常见的只有几MB，可以重复擦写10万次到100万次。NORFLASH遵循CFI标准，可以通过CFI命令查询其制造商、器件型号、容量、内部扇区布局等参数，实现软件自动配置。NORFLASH的优势还在于它在出厂时能保证每个数据位都是有效的，不需要做坏块处理。NORFLASH的线性寻址特性使之可以作为启动存储器使用。与NORFLASH相比，NANDFLASH的容量可以做得很大，常见的有几十MB到几GB，可以重复擦写10万次。NANDFLASH芯片上没有地址与数据线之分，只有复用的I／O线和命令锁存(CLE)、地址锁存(ALE)、读／写使能(RE，WE)和片选(CE)等控制线，必须通过特定的逻辑来操作。NANDFLASH不支持线性寻址，一般不能用作启动ROM。但这也不是绝对的。有些微控制器(如AT91SAM926x)提供出厂前固化在芯片内部的BOOT-ROM，并在BOOT-ROM中提供对NANDFLASH启动的支持。不过这样一来，首先启动的是BOOT-ROM中的程序，会产生启动逻辑和延时方面的种种问题，设计时需要全面考虑。另外，生产厂商不保证NAND-FLASH中每一个数据位都是有效的，除芯片中的第一块之外，允许有“初始坏块”，并约定在坏块的第一页或第二页带外区(OOB)的特定位置标记坏块。NANDFLASH还允许在使用过程中出现新的坏块，以及非坏块在读出过程中出错。基于这些特点，使用这种闪存时要做额外的坏块管理和校验／纠错工作。在写入密集型系统中，必须提供ECC及坏块换出算法，才能达到10万次的写入指标。

　　除了以上提到的两种闪存之外，还有一种由NORFLASH衍生的串行闪存，通常是SPI接口。这种闪存继承了NORFLASH没有坏块的优点，但不支持CFI标准，并且由于是串行接口，线性寻址没有意义，为了方便操作，有些产品中加入了类似NANDFLASH的块／页结构及基于片内SRAM的页缓存，其优势在于硬件接口简单，提供小尺寸的封装，可以显著减小PCB面积和布线复杂程度。

　　另外，基于NANDFLASH技术的串行闪存已经量产，使用的也是SPI接口，容量可以做到1Gb。